- 主存储器
- RAM
- 静态RAM(静态RAM)
- 动态RAM(电容方式)
- ROM
- MROM
- PROM
- EPROM
- EEPROM
- RAM
- 寄存器:CPU内部,存放当前正在执行的指令和数据
- 高速缓冲存储器(Cache):CPU内部,存放当前要执行的局部程序段和数据段
- 辅助存储器:磁盘、磁带、光盘
- 随机访问存储器:存取时间与物理地址无关
- 随机存取存取器 RAM,Random Access Memory
- 特点:在程序的执行过程中可读可写
- 用途:主存,高速缓冲存储器Cache
- 只读存储器 ROM
- 特点:在程序的执行过程中只读
- 用途:BIOS芯片,U盘
- 特点:容量小,访存速度快
- 分类
- 掩模ROM MROM
- 定义:数据在芯片制造过程中写入,不能更改
- 优点:可靠性、集成度高,价格便宜
- 缺点:通用性差,不能改写内容
- 一次性编程ROM PROM
- 定义:用户第一次使用时写入确定内容; 优点:用户可根据需要对ROM编程;
- 缺点:只能写入一次,不能更改。
- 可擦除可编程ROM EPROM
- 定义:可用紫外光照射(EPROM-Erasable)或电擦除(EEPROM或E2PROM-Electrically)多次改写其中内容(多次性编程 )
- 优点:通用性较好,可反复使用
- 缺点:改写速度慢,次数少
- 带电可擦可编程ROM EEPROM
- 特点:电可擦写,局部擦写,全部擦写(多次性编程)
- 闪速型存储器 Flash Memory
- 定义:一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,它突破了传统存储器体系,改善了现有存储器的特性
- 优点:价格低,集成度高、改写速度快
- 用途:U盘(本质上是在电擦除ROM基础上发展起来的)
- 固态硬盘 Solid State Drives, SSD
- 掩模ROM MROM
- 随机存取存取器 RAM,Random Access Memory
- 串行访问存储器:存取时间与物理地址有关
- 顺序存取存储器
- 特点:存储容量大,位价格低廉,存取速度慢。
- 作用:辅助存储器,如磁带
- 直接存取存储器
- 特点:存储容量较大,价位和存取速度在二者之间
- 作用:辅助存储器,如硬盘
- 顺序存取存储器
- 半导体存储器:TTL、MOS,体积小、功耗低、速度快
- 磁表面存储器:磁头、载磁体、磁盘、磁带 (非易失)
- 磁芯存储器:硬磁材料、环状元件 (非易失)
- 光盘存储器:激光、磁光材料 (非易失)
- 光存储器等
- 易失性存储器,如RAM
- 非易失性存储器,如ROM、磁表面存储器和光存储器
- 存储容量 = 存储字数 × 字长(如1M × 8位)
- 单位成本:每位价格 = 总成本 / 总容量
- 存储速度:数据传输率 = 数据的宽度 / 存储周期
- 存取时间(Ta)
- 存取周期(Tm)
- 主存带宽(Bm)
- 1【2011】下列各类存储器中,不采用随机存取方式的是 A EPROM B CD-ROM C DRAM D SRAM→CD-ROM
- 2 磁盘属于「 」类型的存储器 A 随机存取存储器(RAM) B 只读存储器(ROM) C 顺序存取存储器(SAM) D 直接存取存储器(DAM)→C